收藏本站
ZXMN10A08G
Intentionally left blank
Issue 1 - June 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
7
www.zetex.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMN10A09KTC MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
ZXMN10A11GTC MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
ZXMN10A11K MOSFET N-CHAN 100V DPAK
ZXMN10A25GTA MOSFET N-CHAN 100V SOT223
ZXMN10A25KTC MOSFET N-CH 100V DPAK
ZXMN10B08E6TC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6
ZXMN15A27KTC MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
ZXMN20B28KTC MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
相关代理商/技术参数
ZXMN10A08GTA 功能描述:MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN10A09K 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A09KTC 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN10A11G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 2.4A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
ZXMN10A11G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223
ZXMN10A11G_04 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A11GFTA 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A11GFTC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET